使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？: LUMPER_WAVE.rar

使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？

因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体
在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小


请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的

因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界

另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
它跟辐射边界有什么区别么？

希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑

看到你在在另一个论坛发的帖子了~两者求解方式不同，肯定会有一定差异，不过我试过的模型，差别不是特别大~对于这个，我也不是很懂，帮顶一下吧~

根据HFSS的Help文档里面的定义。Waveport应该是一个在腔体外部提供激励源的模型。因为对于HFSS里默认的电磁场边界，应该是没有信号出或者入的。Help文档里原句为“By default, the interface between all 3D objects and the background is a perfect E boundary through which no energy may enter or exit. ”所以一般定义Waveport为一个外部馈电的端口，而Lumped Port为内部端口。所以，一般都把Waveport定义在空气腔体之外。当然也可以使之与空气腔体某个面相接触。但是建议这个面不要设为Rdaition。因为我个人认为，波端口应该是不参与辐射的，而如果与之接触的面为辐射边界，那么可能软件也将端口信号参与到了辐射的计算，劣化了方向图。
以上，个人经验看法，谨供参考。若有不对之处，还请后续跟帖的网友批评指正。

本帖最后由 soccer11 于 2012-4-11 17:23 编辑

关于上一条回复，我仔细找了资料来看，我认为其实是否和辐射边界重叠是无所谓的。另外，如果你用同轴线馈电，要注意确保场的单向性。关于我楼上所说，是我个人使用习惯问题。另外关于你所看到的例子是否指的是那个关于Patch天线的实验呢？我个人认为，空气盒子把整个天线的Radition Pattern包含在内就可以了。如果基板或者电路板什么的你认为它不参与辐射，大可以不包括在内。
以上，个人看法，谨供参考。还请后续跟帖的网友批评指正。

附件是原始参考教材的例子
我用HFSS13重新绘制了这个结构，原来的例子没有FR4介质，我在工程里面都加上了

使用中也发现HFSS_Via_Wizard生成的工程文件也是直接将air腔体设置成辐射边界；不知这样的设置道理何在？
而且看过full book关于类似的例子也是这么弄的
实感比较困惑

“wave port是以平面能量來計算，lump port是以V/I來計算，理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。”

有介绍是这么说的，但如果存在差异问题可能在哪里呢？

使用中也发现HFSS_Via_Wizard生成的工程文件也是直接将air腔体设置成辐射边界；不知这样的设置道理何在？
而且看过full book关于类似的例子也是这么弄的
实感比较困惑

好吧...这和人家软件的设置以及计算方法有关。我没研究过这个。你有兴趣可以看看help文档。

问题是 如果前后左右面使用磁边界 上下使用辐射边界
得出的结果也存在差异

我看你发的实验指导中，包括传输线和过孔的定义都是理想导体而不是Perfect E。那么你的上下面为什么要使用辐射边界呢？

传输线与过孔均可以设置为非理性导体，例如铜