110M低通.rar

如题，希望插损小，感值随频率变化尽量小．

应该是NXO-10的镍锌铁氧体磁芯，我用这个做宽带LC滤波器还是蛮好用的！

我用的就是这种，但是带外抑制达不到要求的６０dB,怎么调都只有４０dB，不知道是专门回事，请问各位有谁遇到过这个问题呢？我采用的是对称结构的二阶电感耦合BUTTERWORTH结构。
楼上的兄弟在铁芯上涂介质材料没有呢？

带外抑制达不到60dB大概是设计的问题吧，一般电感或电容的损耗只会影响带内插损和阻带零点处的衰减特性。

    我的磁芯上面没有涂介质材料。不过我做的是几MHz的LC滤波器，用的是NXO-60和R40C1的磁芯，除了中心频率有所偏移，带内插损－2dB之外，其他的和仿真结果差别不大！

    以上仅供参考，因为我的滤波器还有一个大问题没有解决，我的滤波器阻带衰减－80dB，网络分析仪上的测试结果很好，但是接到实际电路中的时候，对单频输入信号的谐波抑制能力远远没有达到－80dB...

        sigh...这个问题折磨了我一个多月了...

你的带外抑制指标是多少？
另外带外抑制指标同电路的结构也有关系的。

如果你的滤波器单独测试指标满足要求，而接到实际电路中没有达到预期的要求，那可能是你的滤波器接入实际电路后，对该电路的性能产生了影响。
这个影响有多大，需要你评估一下，如果可能的话，用软件分析一下，就可看出来。

在２倍中心频率处的Ｓ２１在－６５ＤＢ以下，我的用网络分析仪测试在１７０ＭＨＺ左右有个陷波点，Ｓ２１有－４８ＤＢ，之后Ｓ２１曲线开始变大，在２００多兆范围内只有－４０ＤＢ左右，到３００多兆可以达到－６０ＤＢ．我开始也以为是电路问题，但是在用别人产品上的绕线电感加上去就能达到要求，我自己做的却不行，估计是问题还是出在电感上，只是我是个初学者，也不知道哪些因素能对电感有那么大的影响．

我觉得可能是设计问题，用什么磁芯倒不是那么重要吧，直接用空心电感都还是可以的，到108M的我刚做过，是用切比雪夫的，不过为了增加抑制，在并谐电路中加了一个传输零点。空心电感调试比较方便点！
在调试时性能比较好，加入电路中性能有所变化是正常的，主要是输入输出阻抗匹配不大好，这个问题我觉得是先在电路外调试好，之后放入电路中再进行系统调试。如果加入电路中性能差别比较大的话要检查电路的输入输出 阻抗了，可能输入输出阻抗和50差别太大了，有时阻抗大到可能无法调试的程度，比如有的器件的输入阻抗可达千ohm。这时的仿真结果就已经没有意义了！

[ 本帖最后由 kinn 于 2007-11-21 11:44 PM 编辑 ]

在并谐电路中加了一个传输零点?在电路里用什么元件实现的呢？

在电容下面加一个电感就行了

你的意思是在并联谐振电路的电容那一路上接入一个电感，然后再接地？那电感的感值要怎么计算呢

我都是用软件算的要有你就把要做的指标发过来，我帮你算下

中心频率１１０ＭＨＺ，中心插损－５ＤＢ，３ＤＢ带宽５％，矩形系数７，带外抑制二倍中心频率处大于６０ＤＢＣ，这些参数够了吗？

我估计楼主这个滤波器用带磁心的电感可能不好,还是用空心电感.另外,你要实现的是5%的带宽,不要指望损耗能够非常小

这两天比较忙了点，不好意思了！

谢谢版主，我试试看修改下电路板排下电感来调试。

这个很好做的， 没有哪么复杂的啊

这个东东，用电感好像是不理想的，最好改变电路