HFSS仿真环路辐射，应该怎么加激励？期待高手！！！: Snap3.jpg

本帖最后由 llqs123 于 2009-10-10 17:15 编辑

RT!
仿真一个正方形的环路辐射，尺寸随意了，
一头放置激励源，一头加负载，
加负载和加激励源应该一个思路，可是要怎么加呢？

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举例说明，不知道对不对，供参考吧

上传一篇文章，感兴趣的一起来做一做！
我现在遇到的问题是：
1、激励源和负载不知道要怎么加？
2、文章中的图3不知道是怎么做出来“远场3m”的三维图的？
3、图4和图5，做的是“远场VS面积”的曲线，面积就好办了，可是远场的场强是怎么做出来的呢？在创造报告的Far field中，有rE这一项，是利用这一项来做的吗？

用你的 Project 單點 500 MHZ的最大場強絕對值為 7.9393mv。
因為你的源沒有 100 Ohm 電阻，所以電流為 2 倍，而 HFSS 輻射場強為 1m 參考值，依公式，應為3m 時場強的3倍。
所以 7.9393mV / 6 = 1.3232mV，與報告中 25 cm^2 的值相近。
以這樣的概念，請你再參考圖4，分別驗證面積為 9, 16, 36, 49 cm^2 的場強，看看是否正確。

不好意思，上一回帖，誤放兩張圖，不知如何刪除，若總版主有權限，若麻煩你刪掉一個，謝謝!

TO honejing:
     三个咨询！
     1、你是否加的也是电压源（不能设置内阻），负载处使用的也是lumped RLC的R是吗？ 我按照此设置，仿真结果与你的不一样，最大绝对值达到9mv以上，不知什么原因？看图一！
     2、参数rE的理解，是表示：距离乘以场强E，是指PCB远场空间的任意点处的电压值，是吧（临时看了看help，不是很懂，汗~~~）？
     3、“而HFSS 輻射場強為 1m 參考值”，软件默认的定义吗？此话怎么理解？

我也试着将激励设为lunmped port，并置阻抗为100欧姆，
按你的思路，结果/3，与文献之图片4（25平方的情况）也是有差距的，见图片

我完全沒有更改你上載的project，只是Result 的3D plot改看abs (rETotal)，值就是 7.9393 mV/m, 並給你說明而已。

你是否加的也是电压源（不能设置内阻），负载处使用的也是lumped RLC的R是吗？
==>都是你原先用的1V 激勵及 100 Ohm Lunped R boundary 。

软件默认的定义吗？
==> 據了解，HFSS 默認是 1m 的場強。

试了多种情况，反倒情况更复杂了，呵呵！
1、负载电阻的current line（翻译成电流线吗？），改变箭头方向，结果差异较大啊，头晕了，看help没看懂方向改变有何区别，难道不能只当成是电阻来理解吗？还需辨识方向？
2、发现激励所在的面改变位置（不在中间了），也有很大影响啊

我也暈了!
變換了一下回路面積，得到的結果未能一致，有確定的結果再回你。

呵呵，好的，我也在试试，改动改动！

边长为3、4和5cm时，结果和参考文献比较接近，
但为6和7cm时，就差距很大，原因不明；