HFSS:仿真两平行带状线间的串扰，如何加lumpedport激励？: Strip_Xtalk_g4.JPG

RT!
练习带状线串扰仿真，可仿出来的结果不理想！
1、不知道带状线间串扰的S31和S41曲线是什么样的？
2、不知道怎么加集总激励，Fullbook上倒是有LVDS的例子，可我想要的结构和那个不同，所以也没有按照差分对来设置激励！
希望这方面的高手指点下！

你不是已經做過一次了嗎？仔細查查應該可以發覺問題。
曲線的趨勢有點像，可能是結構哪裡有沒有劃好的地方。

TO honejing:
      呵呵，是啊，做微带线的时候，曲线形式很正常，可以和一些IEEE文献对上！
可不知道怎么搞的，带状线就对不上。另外，honejing：
1、带状线S31和S41参数曲线趋势和微带线的一样吗？
2、加集总端口激励，还是和微带线一样吗？带状线有两个参考地啊？

PS：我查到两个带状线的特性阻抗公式，表达式不一样，会不会因为特性阻抗非50欧姆导致的曲线畸变呢？
不知道这个可能性大不大？

1. 仔細看 Full book 的步驟，把 Lumped port 平面劃對，帶綫上下參考面都要接到。
2. 阻抗公式表达式不一样 ＝> 那是當然，非50 Ohm 也不是問題，你需要看一些基礎的書，建議去買 Signal Integrity - Simplified 來看，有中文版。
http://www.edacn.net/bbs/viewthread.php?tid=125512

本帖最后由 llqs123 于 2009-7-11 21:05 编辑

我使用的是图4的激励！
你说的是图5这种加激励吗？如果是这样的话，我曾试过一次，结果好像会弹出：端口细化时有disconnect的错误！

1.其特性阻抗的表达式，两本参考书，Paul的《电磁兼容导论》和Montrose的一本书；表达式不一样呢？
我原先以為你說的是微帶綫與帶綫不同，原來是不同作者有不同，我沒有去查，但是我猜兩者可能都沒有錯，也許表達的角度不同。

2. 圖5是對的，但是劃 port 要很注意，可將帶綫內縮一點比較好對齊，Port上下要正好頂參考面。
你會試的出來的。有 error 應該就是圖沒劃好，放大一點看。

修正: 要先劃一片垂直的 PEC 在留一點小空間來劃 port，參圖。

按照图5来加激励，修改了很多次都会弹出错误，看来好像不应该这样加啊！

本帖最后由 llqs123 于 2009-7-12 15:16 编辑

好的，附件上传，有时间帮我看看吧！

1. 劃 Sheet --> 設 Perfect E

2.縮短 Trace 1,2 --> 劃 Sheet  --> Assign lumped port

3 結果 -6xdB 還可以吧，S41 的一些 loss peak 有不正常嗎？你看論文是長怎樣？

TO honejing:
      那个via fence的via是通孔还是盲孔啊？

不是很清楚你在問什麼，但是現在比較常用的是通孔，若要用埋層裡的盲孔，技術層次較高。
文獻中仿真可能為了畫圖方便用了實心灌孔，結果的差異應該不大。

啊，好的，谢谢honejing 的回答！
另问：实测串扰，一定要去暗室测吗？在实验室可不可以？
在测量这方面没有经验！

：9de看看，暂时不太懂

路过看看，呵呵

请问在HFSS中如何看串扰？串扰和什么S21.S31等是什么关系？