| 摘要： | |
| 利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD（X射线衍射）结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物:AuGa2,Ni4N,意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合,保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻,成功地完成了键合,为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础. | |
| 正文快照： | |
| 晶片键合技术[‘]（wafrho＊i旭 t肌h巾gu一一般是指不经过任何微胶层或施加外力的情况下,把两个镜面抛光的晶片在室温下键合在一起的过程.目前一般包括熔融键合[‘]（fllsi。nbondingX阳极键合「川anodic bonding＊低温玻璃键合[…low t叩rature lass bonding＊低共熔体键合[’]卜耐优tichonding）以及新合键合卜]（adh田i陀b。Mi吧）等.良好的晶片键合应该具有以下特征:（【）键合所采用的工艺对样品的表面没有不良的影响,键合后的表面应该平整光滑;（n）键合后样品的界面应该平整,不存在空洞;（if）键合工艺应该不影响器件原来的物理和… |
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术.pdf
