《PIN管控制电路功率容量的确定》的参考文献: Establishing the Minimum Reverse Bias fora p-i-n Diode in a High-Power Switch.PDF

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Establishing the Minimum Reverse Bias for a p-i-n Diode in a High-Power Switch

Abstract -An  important  circuit  design  parameter  in  a  high-power
p-i-n  diode  application  is  the  selection  of  an  appropriate  applied  dc
reverse  bias  voltage.  Until  now,  this  important  circuit  parameter  has
been  chosen either conservatively,  using  the magnitude  of  the  peak  RF
voltage,  or by  empirical  trials  to determine a possible  lower value. This
paper  explores  the reverse bias  requirement  for a p-i-n diode operating
in  a  high-power RF  and microwave  environment.  It  demonstrates  that
the  minimum  reverse  bias  voltage  is  equivalent  to  the  p-i-n  diode's
self-generated  dc voltage under  similar RF conditions. A concise expres-
sion  for  this  self-generated  voltage  is  developed  and  experimentally
verified  and will  assist the design engineer in more accurately  selecting
an  appropriate  minimum  value  for  the  applied  reverse  bias  voltage
setting.

楼主辛苦:11bb :11bb

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谢谢楼主的分享了哦:11bb :11bb

权限不够啊，啥时候才能升级啊？、、、：4de ：4de

好东西，谢谢了

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