先进半导体存储器—结构、设计与应用: xx.JPG

【原 书 名】 Advanced Semiconductor Memories : Architectures, Designs, and Applications

【原出版社】 John Wiley & sons,Inc.

【作　　者】（美）Ashok K.Sharma [同作者作品]

【译　　者】 曾莹[同译者作品] 伍冬 孙磊 任涛

【丛 书 名】 国外电子与通信教材系列

【出 版 社】 电子工业出版社     【书 号】 7505399489

【出版日期】 2005 年1月 【开 本】 16开 【页 码】 448     【版 次】1-1

【所属分类】

物理 > 总论 > 综合 教材 > 研究生/本科/专科教材 > 理学 > 物理

【内容简介】本书特色：
DRAM作为新一代高容量半导体产品制造技术的推动者，除用于计算机领域外，还广泛用于汽车、航空、军事和航天、电信以及无线工业等领域。近年来，新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展，包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。
本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展，内容详尽而新颖，具体包括：
● 静态随机存取存储器技术，涉及先进的体系结构、低压SRAM、快速SRAM、SOlSRAM以及专用SRAM(多端口、FIFO、CAM等)
● 高性能动态随机存取存储器技术——DDR、同步DRAM／SGRAM的特性和体系结构、EDRAM、CDRAM、各位DRAM的等比例缩小问题及其体系结构、多电平存储DRAM和SOl DRAM等
● 专用DRAM的体系结构和设计一一VRAM、DDRSGRAM、RDRAM、SLDRAM和三维RAM等
● 先进不挥发存储器的设计和技术，包括浮栅单元理论、EEPROM／快闪存储器单元设计和多电平快闪存储器等
● FRAM及其可靠性问题
● 嵌入式存储器的设计和应用，包括高速缓存、合并处理器、DRAM体系结构、存储卡和多媒体应用等
● 未来存储器的发展方向：采用RTD、单电子存储器等技术使存储容量从兆字节发展到兆兆字节
本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展，论述全面，涵盖了近年来的新技术成果。书中讲解了静态随机存取存储器技术、高性能的动态随机存取存储器、专用DRAM的结构和设计，先进的不挥发存储器的设计和技术、嵌入式存储器的设计和应用，以及未来存储器的发展方向等。DRAM作为新一代半导体产品制造技术的推动者，除用于计算机领域之外，还用于汽车、航空、航天、电信以及无线工业等领域。近年来，新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展，包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。
本书适合作为大学微电子专业高年级本科生及研究生的教材，也可作为从事半导体制造与研究的工作人员的参考用书。

目录

第1章 先进半导体存储器引论
1.1 半导体存储器综述
1.2 先进半导体存储器的发展
1.3 将来存储器的发展方向
参考文献
第2章 静态随机存取存储器技术
2.1 静态随机存取存储器的基本结构和单元结构
2.1.1 SRAM的性能和时序
2.1.2 SRAM的读写操作
2.2 选择SRAM时的考虑因素
2.3 高性能的SRAM
2.3.1 直接模式的SRAM
2.3.2 零总线转换 SRAM
2.3.3 四倍数据率（QDR）SRAM
2.3.4 双数据率（DDR）SRAM
2.3.5 无周转模式的RAM
2.4 先进的SRAM结构
2.5 低压SRAM
2.6 BiCMOS工艺的SRAM
2.7 SOI SRAM
2.8 特种SRAM
2.8.1 多端口型的RAM
2.8.2 先进先出（FIFO）型存储器
2.8.3 按内容编址存储器
参考文献
第3章 高性能的动态随机存取存储器
3.1 动态随机存取存储器技术和发展趋势
3.2 DRAM时序规范和操作
3.2.1 总的时序规范
3.2.2 存储器读操作
3.2.3 存储器写操作
3.2.4 读改写操作
3.2.5 DRAM刷新操作
3.3 扩充数据输出动态随机存取存储器 EDO DRAM
3.3.1 EDO DRAM（例子）
3.4 增强式动态随机存取存储器（EDRAM）
3.5 同步的动态随机存取存储器/图像随机存取存储器结构
3.5.1 SDR SDRAM/SGRAM
3.5.2 DDR SDRAM/SGRAM特点
3.5.3 256 M位DRAM实例
3.6 增强式同步动态随机存取存储器（ESDRAM）
3.7 高速缓存动态随机存取存储器（CDRAM）
3.8 虚拟通道存储动态随机存取存储器（VCM DRAM ）
3.9 先进的DRAM工艺技术展望
3.9.1 存储器电容器单元的改进
3.9.2 64 Mb DRAM
3.9.3 256 Mb DRAM
3.10 千兆位DRAM等比例缩小问题和结构
3.11 多电平存储的动态随机存取存储器（MLDRAM）
3.12 绝缘体基外延硅动态随机存取存储器（SOI DRAM）
参考文献
第4章 专用DRAM结构与设计
4.1 视频RAM（VRAM）
4.2 同步显存（SGRAM）
4.2.1 64 M位的DDR SGRAM
4.2.2 256兆位的DDR快速周期RAM（FCRAM）
4.3 Rambus技术概述
4.3.1 直接RDRAM技术
4.3.2 以直接Rambus存储系统为基础的设计
4.4 同步链接DRAM（SLDRAM）
4.4.1 SLDRAM 标准
4.4.2 SLDRAM结构和功能总述
4.4.3 SLDRAM（举例）
4.5 3-D RAM
4.5.1 像素ALU操作
4.6 存储系统设计思路
参考文献
第5章 先进的不挥发存储器设计与技术
5.1 不挥发存储器进展
5.1.1 介绍
5.1.2 串行EEPROM
5.1.3 快闪存储器的发展
5.2 浮栅单元工作原理和操作
5.2.1 浮栅单元工作原理
5.2.2 电荷输运机制
5.3 不挥发存储器单元和阵列设计
5.3.1 UV-EPROM（或EPROM）单元
5.3.2 EEPROM单元
5.3.3 快闪存储器单元
5.3.4 快闪存储器单元的基本操作和工艺
5.3.5 快闪EEPROM技术的发展
5.4 快闪存储器体系结构
5.4.1 NOR快闪存储器
5.4.2
NAND快闪存储器
5.4.3 DINOR体系结构的快闪存储器
5.4.4 AND体系结构的快闪存储器
5.4.5 特种快闪存储器
5.5 多电平不挥发存储器
5.5.1 多电平NOR快闪存储器
5.5.2 多电平NAND快闪存储器
5.5.3 多电平AND快闪存储器
5.6 快闪存储器的可靠性问题
5.6.1 EPROM/EEPROM中一般的失效机制
5.6.2 快闪存储器的可靠性
5.7 铁电存储器
5.7.1 技术回顾
5.7.2 铁电材料和存储器设计
5.7.3 兆位级的FRAM
5.7.4
链式FRAM（Chain FRAM, CFRAM）
5.7.5 金属铁电半导体场效应晶体管
5.7.6 FRAM的可靠性问题
参考文献
第6章 嵌入式存储器的设计与应用
6.1 嵌入式存储器的发展
6.2 高速缓冲存储器的设计
6.2.1 DSP中高速缓存体系结构的实现（举例）
6.3 嵌入式SRAM和DRAM的设计
6.3.1 嵌入式SRAM宏单元
6.3.2 嵌入式DRAM宏单元
6.4 合并处理器的DRAM体系结构
6.5 采用嵌入式逻辑体系结构的DRAM工艺
6.5.1 嵌入DRAM核的模块
6.5.2 采用嵌入式DRAM的多媒体加速器
6.5.3 智能RAM（IRAM）
6.5.4 计算RAM
6.6 嵌入式EEPROM和flash存储器
6.7 存储器卡及其多媒体应用
6.7.1 存储器卡
6.7.2 单片flash盘
参考文献
第7章 未来的存储器方向：兆字节到兆兆字节
7.1 将来的存储器发展
7.2 磁阻随机存取存储器（MRAM）
7.2.1 MRAM技术发展和权衡
7.2.2 MRAM 单元和结构
7.2.3 256 K/1 Mb GMRAM
7.2.4 多值MRAM
7.3 谐振隧道二极管为基的存储器
7.3.1 谐振隧道二极管理论
7.3.2 隧道SRAM TSRAM 单元设计
7.3.3 RTD为基的存储器系统（例子）
7.4 单电子存储器
7.4.1 单电子器件理论
7.4.2 单电子存储器特性和结构
7.4.3 单电子器件制造技术
7.4.4 纳米晶体存储器器件
7.5 相变非易失性存储器
7.6 质子非易失性存储器
7.7 其他存储器技术的发展（例子）
7.7.1 晶闸管为基的SRAM（T-RAM）
7.7.2 按内容编址只读存储器（CAROM）
7.7.3 纳米存储器
7.7.4 固态全息存储器
参考文献

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[ 本帖最后由 drjiachen 于 2009-1-10 01:17 编辑 ]

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