一种900MHz CMOS 低压高线性度混频器的设计:摘要:针对无线通讯设备面向高性能低成本低电压低功耗和小体积的应用对基本的C M O SGilbert 混频器构架加以改进改进后的混频器在3V下具有高线性度IIP3=7.4dBm 隔离度较高提供13dB 的变频增益而噪声也在12.5dB 以下
关键词:混频器 线性度 噪声系数 低电压 吉尔伯特
1 引言
混频器广泛用于现代通信系统中载波信号的频率变换在射频接收机中下变频混频器的性能严重影响系统的性能及系统对其他功能电路的性能要求如低噪声放大器本振射频滤波器镜像抑制滤波器和中频放大器等随着无线通讯设备不断向高性能低成本低电压低功耗和小体积的方向发展作为无线通讯射频前端的核心部分之一的混频器也须顺应低压低功耗趋势的要求在提供适度增益的同时降低噪声系数提高线性度
目前M O S 管截止频率的提高和针对射频集成电路的特殊工艺的采用使CMOS 工艺能够实现高性能的射频集成电路通信系统中的混频器通常是基于CMOS 工艺的有源Gilbert 电流开关型混频器它能提供增益以减小前级低噪声放大器的增益要求和后级电路的噪声影响然而这种通用的Gilbert 混频器由三级MOS 管堆叠而成需要较高的直流电压同时电压的限制不利于混频器线性度的提高因此需要针对这种混频器进行低电压和高线性度方面的优化本文设计的混频器在3V电压下IIP3为7.4dBm1dB 压缩点为-3.2dBm 噪声系数为12.5dB 提供13dB 的变频增益功耗为13.5mW
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谢谢楼主,看看,这么多人下也没人顶。
写得不明白
谢谢楼主分享