集成电路器件电子学(第三版).part2.rar

【原 书 名】 Device Electronics for Integrated Circuits,Third Edition

【原出版社】 John Wiley & sons,Inc.

【作　　者】（美）Richard S.Muller,Theodore I.Kamins,Mansun Chan [同作者作品] [作译者介绍]

【译　　者】 王燕[同译者作品] 张莉

【丛 书 名】 国外电子与通信教材系列

【出 版 社】 电子工业出版社     【书 号】 7121005263

【出版日期】 2004 年11月 【开 本】 16开 【页 码】 479     【版 次】3-1

【所属分类】

通信 > 综合 教材 > 研究生/本科/专科教材 > 工学 教材 > 通信教材 > 本科/研究生 > 通信其他本科教材

【内容简介】本书特点
●包括Gauss定理最新的和扩展的讨论，沟道非常短的MOS晶体管，异质结构和异质结晶体管以及工艺模拟
●IC工艺的最新发展趋势
●在例题中将基本理论与器件应用联系起来，体现了从理论到应用的途径
●集中子硅器件进行深入的讨论
●对例题进行了详细的讨论和说明。有助于读者理解解决实际问题的有效方法
●提供了丰富的不同难度和复杂程度的习题材料，为学生的练习和导师的作业布置提供了多种选择
●基于作者在工业界和实验室的实际工作经验，包括了一些相关的主题和例题
本书系统介绍集成电路器件电子学，其内容可分为两部分：第一部分是学习半导体器件必需的知识，包括半导体物理和工艺的基本知识，以及金属-半导体接触和pn结理论；第二部分系统深入地阐述了双极晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理和特性。书中每章有大量的习题，供读者加深理解所学的知识。
本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书，也可供在相关领域工作的专业技术人员参考。
当今复杂的微处理器中数百万个电子器件如何协同工作?
控制这些器件特性的物理原理是什么?
集成电路的发明到现在已经有四十多年，目前进入了一个令人振奋但又具有挑战性的阶段。器件的不断缩小似乎已经逼近与结构和材料本身有关的基本极限。
为了了解集成电路的发展，并为这个领域作出贡献，我们需要了解基本的物理原理，并探索其应用领域。
本书是Richard Muller，Ted Kamins和Mansun Chan编写的《集成电路器件电子学》的第三版。本书力图将例题与实际中丰富多彩的集成电路联系起来。这一独特的方式，即对电学特性的讨论与实际应用的介绍交替进行，有助于读者从整体上了解集成电路，同时也与先进器件模型的发展联系了起来。

第1章 半导体电学特性
1.1 半导体材料物理
1.2 半导体中的自由载流子
1.3 器件：霍尔效应磁传感器
小结
参考文献
参考书
习题
第2章 硅工艺
2.1 硅平面工艺
2.2 晶体生长
2.3 热氧化
2.4 光刻和图形转移
2.5 掺杂和扩散
2.6 化学气相淀积
2.7 互连和封装
2.8 化合物半导体工艺
2.9 数值模拟
2.10 器件：集成电路中的电阻
小结
参考文献
参考书
习题
第3章 金融-半导体接触
3.1 电子系统中的平衡
3.2 理想的金属-半导体结
3.3 电流-电压特性
3.4 非整流（欧姆）接触
3.5 表面效应
3.6 金属-半导体器件：Schottky二极管
小结
参考文献
参考书
习题
第4章 pn结
4.1 缓变杂质分布
4.2 反偏pn结
4.3 结的击穿
4.4 器件：结型场效应晶体管
小结
参考文献
参考书
习题
4.5
第5章 pn结中的电流
第6章 双极晶体管I：基本特性
第7章 双极晶体管II：局限性与模型化
第8章 金属-氧化物-半导体系统的性质
第9章 MOS场效应晶体管I：物理效应和模型
第10章 MOS场效应晶体管II：强场效应
部分参考答案
附录
索引

集成电路器件电子学(第三版).part2-4

[ 本帖最后由 drjiachen 于 2008-12-4 11:31 编辑 ]

集成电路器件电子学(第三版).part1

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[ 本帖最后由 drjiachen 于 2008-12-4 11:31 编辑 ]

本帖最后由 huangfeihong88 于 2009-10-10 20:41 编辑

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集成电路器件电子学(第三版).part1

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