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80211双频三模之高线性混频器QH06.pdf

 

802.11双频三模之高线性混频器:
本文我們改良傳統Gilbert 架構設計一雙頻混頻器,在轉導級部分使用MGTR 架構[1],以提高電路線性度,模擬結果P1dB 約為-7dBm,IIP3 可達到17dBm 以上。

一、 前言
隨著無線區域網路匯聚標準出現,多模式(multimode)市場的發展條件也已成熟,如同先前的有線網路,無線乙太網路(802.11)正在多模式工作環境中成長茁壯。有線乙太網路的10 和100Mbps 技術原本各自獨立,但當廠商把它們匯聚成目前業界所熟悉的10/100 網路後,有線乙太網路市場立刻開始快速成長;同樣的現象也會出現在無線區域網路技術。首先,我們可以相當確定的是,並非所有標準都都擁有相等的優勢,包括802.11b、802.11a 和802.11g 在內,各種無線乙太網路標準都有它們自己的長處和優點,各個標準的版本也有自己的操作和成本特性,多模式即可確保所有操作模式的優點都能在市場上延續下去。目前多模式的商用晶片已經出現,但這些晶片大多採用砷化鎵及雙載子接面電晶體實現。CMOS技術具有成本低、功耗小且可和基頻電路相結合成為系統晶片(System On Chip:SOC)等特點,因而CMOS 射頻積體電路(RFIC)設計成為近幾年來世界各國的研究焦點。本次電路利用TSMC 0.18 μmCMOS 製程設計可用於2.4GHz 和5.2 GHz 雙頻段無線區域網路IEEE 802.11 標準的高線性混頻器。


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