半导体物理与器件 （第三版）.part10.rar

【原 书 名】 Semiconductor Physics And Devices

【原出版社】 McGraw-Hill

【作　　者】（美）Donald A.Neamen [同作者作品] [作译者介绍]

【译　　者】 赵毅强[同译者作品] 姚素英 解晓东等

【丛 书 名】 国外电子与通信教材系列

【出 版 社】 电子工业出版社     【书 号】 7121008637

【出版日期】 2005 年2月 【开 本】 16开 【页 码】 524     【版 次】3-1

【内容简介】本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、同体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容，共分为三部分，十五章。第一部分介绍基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理；第二部分介绍半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分介绍半导体器件物理，主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOs场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述了光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。全书内容丰富、概念清楚、讲解深入浅出、理论分析透彻。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末列有习题和参考文献，书后附有部分习题的答案；此外，部分章末引入了计算机仿真题。
本书可作为高等院校微电子技术专业本科牛及相关专业研究生的教材或参考书。也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
本书深入讲解了半导体器件的特性、工作原理以及限制因素。本书的可读性强，适合于教学，具体特性如下：
●通篇简介了物理学。与其他教材相比，本书提供了更多的物理学及量子理论知识，以便读者更深入地理解器件并开发出新的半导体器件
●扩充了实用的示例。全书使用了许多示例，以加强读者对概念的理解。这些示例包含了分析或设计的所有细节，读者不必再添加任何步骤
●新加了自测题。在示例、练习题之后立即加入了自测题，以测试读者对所涉及内容的理解
●增加了每章结尾处的习题数量。每章后面均提供了大量的习题。在每章的小结与复习题中，包含了面向设计的习题
●新的教学方式。在每章的术语后添加了要点。要点可帮助读者过渡到下一章的内容。要点后面的复习题也可作为自测题，以测试读者对概念掌握的程度
●计算机仿真。在每章结尾处的习题中，包含了许多计算机仿真习题。此外，网站WWW．mhhe．com／neamen中还提供了使用MATLAB进行计算机仿真的习题

目录

绪论半导体和集成电路
历史
集成电路（IC）
制造
参考文献
第1章固体晶格结构
1.1半导体材料
1.2固体类型
1.3空间晶格
1.4原子价键
1.5固体中的缺陷和杂质
1.6半导体材料的生长
1.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第2章量子力学初步
2.1量子力学的基本原理
2.2薛定谔波动方程
2.3薛定谔波动方程的应用
2.4原子波动理论的延伸
2.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第3章固体量子理论初步
3.1允带与禁带
3.2固体中电的传导
3.3三维扩展
3.4状态密度函数
3.5统计力学
3.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第4章平衡半导体
4.1半导体中的载流子
4.2掺杂原子与能级
4.3非本征半导体
4.4施主和受主的统计学分布
4.5电中性状态
4.6费米能级的位置
4.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第5章载流子输运现象
5.1载流子的漂移运动
5.2载流子扩散
5.3杂质梯度分布
5.4霍尔效应
5.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第6章半导体中的非平衡过剩载流子
第7章pn结
第8章pn结二极管
第9章金属半导体和半导体异质结
第10章双极晶体管
第11章金属?氧化物?半导体场效应晶体管基础
第12章金属?氧化物?半导体场效应晶体管：概念的深入
第13章结型场效应晶体管
第14章光器件
第15章半导体功率器件
附录A部分参数符号列表
附录B单位制、单位换算和通用常数
附录C元素周期表
附录D误差函数
附录E薛定谔波动方程的推导
附录F能量单位——电子伏特
附录G部分习题参考答案
索引

半导体物理与器件 （第三版）.part03
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[ 本帖最后由 drjiachen 于 2008-11-4 22:54 编辑 ]

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半导体物理与器件
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半导体的物理知识我就完全不懂了，不过这本书应该是经典书籍，给你送金币了

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

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