国外集成电路命名方法

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缩写字符：RCA 译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）

器件型号举例说明

　

CD	4070A	D
类型	器件编号	封装
CA：线性电路；	A：改型，代替原型；	D：陶瓷双列（多层陶瓷）；
CD：CMOS数字电路；	B：改型，代替A或	E：塑料双列；
COM：CMOS LSI；	原型；	EM：变形的塑料双列（有散热板）；
COP：CMOS LSI；	C：改型；	F：陶瓷双列，烧接密封；
CMM：CMOS LSI；	UB：不带缓冲。	H：芯片；
MWS：CMOS LSI；		J：三层陶瓷芯片载体；
LM：线性电路；		K：陶瓷扁平封装；
PA：门阵。		L：单层陶瓷芯片载体；
		M：TO-220封装（有散热板）；
		P：有散热板的塑料双列封装；
		Q：四列塑料封装；
		QM：变形的四列封装
		S：TO-5封装（双列型）；
		T：TO-5封装（标准型）；
		V1：TO-5封装（射线型引线）；
		W：参差四列塑料封装。
该公司并入Harris公司。

缩写字符：PMI 译名：精密单片公司（美）
　

器件型号举例说明

DAC	08	E	X
器件系列	器件编号	电特性等级	封装
ADC：A/D转换器；			H：6线圆壳TO-78；
AMP：测量放大器；			J：8线圆壳TO-99；
BUF： 缓冲器（电压跟随器）；			K：10线圆壳TO-100；
CMP：电压比较器；			P：环氧树脂双列直插；
DAC：D/A转换器；			Q：16线陶瓷双列；
DMX：信号分离器；			R：20线陶瓷双列；
FLT：滤波器；			RC：20线芯片载体；
GAP：通用模拟信息处理器；			T：28线陶瓷双列；
JAN：M38510产品；			TC：28线芯片载体；
MAT：对管；			V：24线陶瓷双列；
MLT：乘法器；			X：18线陶瓷双列；
MUX：多路转换器；			Y：14线陶瓷双列；
OP：精密运算放大器；			Z：8线陶瓷双列；
PKD：峰值检波器；			W：40线陶瓷双列；
PM：仿制的工业规范产品；			L：10线密封扁平；
REF：电压基准；			M：14线密封扁平；
RPT：PCM线转发器；			N：24线密封扁平。
SMP：采样/保持放大器；
SLC：用户线接口电路；
SW：模拟开关；
SSS：优良的仿制提高规范产品。			该公司并入ANA公司。

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缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）

器件型号举例说明 　

NE	5534	N
首标	器件编号	封装		当有第二位字母时
表示温度范围：		CK：芯片；		表示引线数
75、N、NE：（0~70）℃		D：微型（SO）塑料；		B：3；
（0~75）℃；		E：金属壳（TO-46，TO-72）		C：4；
55、S、SE：		4线封装；		E：8；
（-55~125）℃；		F：陶瓷浸渍扁平；		F：10；
SA：（-40~85）℃；		G：芯片载体；		H：14；
SU：（-25~85）℃。		H：金属壳（TO-5）		J：16；
		8、10线封装；		K：18
		I：多层陶瓷双列；		L：20；
		K：TO-3型；		M：22；
		N：塑料双列；		N：24；
		P：有接地端的微型封装；		Q：28；
		Q：多层陶瓷扁平；		W：40；
		R：氧化铍多层陶瓷扁平；		X：44；
		S：功率单列塑封；		Y：48；
		W：陶瓷扁平。		Z：50。
同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。

缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德） 　

器件型号举例说明（与欧共体相一致）

TB	B	1458	A	GG
首标	温度范围	器件编号	改进型	封装
第一字母表示：	A：没规定范围；			首位字母表示封装形式：
S：单片数字电路；	B：（0~70）℃；			C：圆壳；
T：模拟电路；	C：（-55~125）℃			D：双列直插；
U：模拟/数字混合	D：（-25~70）℃；			E：功率双列（带散热片）；
电路。	E：（-25~85）℃；			F：扁平（两边引线）；
第二字母，除"H"	F：（-40~85）℃。			G：扁平（四边引线）；
表示混合电路外，				K：菱形（TO-3）；
其它没明确含义。				M：多列引线（双、三、四列
电路系列由两字母加以				除外）；
区分。				Q：四列直插；
				R：功率四列（带散热片）；
				S：单片直插；
				T：三列直插。
				第二位字母表示封装材料：
				C：金属-陶瓷；
				G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；
				M：金属；
				P：塑料。
				（半字符以防前后符号混淆）

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缩写符号：THEF 译名：汤姆逊公司（法）

器件型号举例说明（与欧共体相一致）

　

TD	B	0155	A	DP	XX/XX
首标	温度范围	器件	改	封装	附加资料
第一字母表示：	A：没规定范围；	编号	进	第一字母表示封装形式：
S：数字电路；	B：（0~70）℃；		型	C：圆形；
T：模拟电路；	C：（-55~125）℃；			D：双列；
U：模拟/数字混	D：（-25~70）℃；			E：功率双列；
合电路。	E：（-25~85）℃；			F：扁平（两边引线）；
第二字母有A、	F：（-40~85）℃。			G：扁平（四边引线）；
B、C或H。				K：TO-3型；
				M：多列引线（多于四排）
				Q：四列引线；
				R：功率四列引线；
				S：单列引线；
				T：三列引线；
				第二字母表示封装材料；
				B：氧化铍-陶瓷；
				C：陶瓷；
				G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）
				M：金属；
				P：塑料；
				X：其它。
该公司与意大利SGS公司组成SGS-THOMSON公司。     产品型号有变化，除ST首标的产品外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。

老产品型号举例说明

SFC	2	101	A	P	M
THEF/CSF的首标	系列	器件	改	封装	温度范围
	2：线性电路；	编号	进	D：塑料小型双列（少于10线）；	C：（0~70）℃；
	9：微机系列。		型	E：塑料双列（多于10线）；	T：（-25~85）℃；
				G：陶瓷小型双列（小于10线）；	M：（-55~125）℃。
				J：陶瓷浸渍双列（多于10线）；
				K：陶瓷双列；
				P：扁平金属封装；
				R：菱形金属封装；
				U：塑料小型扁平封装；
				没标者为金属圆壳封装。

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汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明 　

EF	-	68008	V	P	D	10	C
首标	工艺	器件	温度范围	封装	质量水平	频率	用户
	──：	编号	L：（0~70）℃；	P：塑料双列；	──：标准的；	范围	密码
	NMOS或HMOS；		V：	PN：塑料芯片载体；	D：D级（STD
	L：NMOS		（-40~85）℃。	FP：小引线封装；	加老化）。
	低功耗；			R：陶瓷PGA封装；
	C：CMOS；			E：陶瓷芯片载体；
	HC：HCMOS。			J：陶瓷浸渍双列；
				C：陶瓷双列。
ET	C	2716	Q	55	M	B/B
首标	工艺	器件	封装	响应时间	温度范围	质量水平
	── ：		C：陶瓷双列；		──：（0~70）℃；	──：标准的
	NMOS；		J：陶瓷浸渍双列		E：（-25~85）℃ ；	B/B：883B的.
	C：CMOS；		N：塑料双列；		V：（-40~85）℃ ；
	L：低功耗。		Q：紫外线窗口陶		M：（-55~125）℃。
			瓷浸渍双列。
MK			68901	P		00
首标			器件编号	封装		仪表板编号
MK：标准产品；				P：镀金铜焊陶瓷双列；
MKB：军用高可靠筛选				J：陶瓷浸渍双列；
883B产品；				N：塑料双列；
MKI：工业用高可靠筛选				K：镀锡铜焊陶瓷双列；
（-40~85）℃产品。				T：有透明盖的陶瓷双列；
				E：陶瓷芯片载体；
				D：双密度RAM/PAC；
				F：扁平封装。
ET	-		68A00	C	M	B/B
首标	工艺		器件编号	封装	温度范围	质量水平
	A：NMOS；			C：陶瓷双列；	L：（0~70）℃；
	B：CMOS/大部分；			E：陶瓷芯片载体；	V：（-40~85）℃；
	G：GMOS/Si gate			J：陶瓷浸渍双列；	M：（-55~125）℃。
	（硅栅）；			FN：塑料芯片载体；
	X：（样品）原型。			P：塑料双列；
				R：RGA。
J	LM108A	1		V
芯片	器件编号	硅片背面		质量水平
大片		加工：		V：芯片封装前按MIL-STD-883方法2010
		1：硅；		进行100%目检；
		2：镀金；		N：V水平的加上批量抽样（55封装的IC）；
		3：Si-Ni-Ag。		T：N水平的加上批量抽样老化（55封装IC）；
				W：T水平的加上1000小时批量抽样寿命试验（55
				封装IC）；
				Z：W水平的接着试验。
同时有与欧共体相同的编号。

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缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）

器件型号举例说明

TL	0728	E	JG
首标	器件编号	温度范围	封装
		LS	183	J
首标	温度范围	系列	器件编号	封装
首标符号意义
AC：改进的双极电路；		SN：标准的数字电路；		TL：TII的线性控制电路；
TIEF：跨导放大器；		TIES：红外光源；		TAL：LSTTL逻辑阵列；
JANB：军用B级IC；		TAT：STTL逻辑阵列；		JAN38510：军用产品；
TMS：MOS存储器/微处理器；		JBP：双极PMOS 883C产品；		TM：微处理器组件；
SNC：IV马赫3级双极电路；		TBP：双极存储器；		SNJ：MIL-STD-883B双极电路；
TC：CCD摄像器件；		SNM：IV马赫1级电路；		TCM：通信集成电路；
RSN：抗辐射电路；		TIED：经外探测器；		SBP：双极微机电路；
TIL：光电电路；		SMJ：MIL-STD-883B MOS电路；		VM：语音存储器电路；
TAC：CMOS逻辑阵列；		TIFPLA:双极扫描编程逻辑阵列；		TLC：线性 CMOS电路；
TIBPAL：双极可编程阵列逻辑。				同时采用仿制厂家的首标。
封装符号
J、JT、JW、JG：陶瓷双列；		PH、PQ、RC：塑料四列扁平封装；		T：金属扁平封装；
LP：塑料三线；		D、DW：小引线封装；		DB、DL：缩小的小引线封装；
DBB、DGV：薄的超小型封装；		DBV：小引线封装；		GB：陶瓷针栅阵列；
RA：陶瓷扁平封装；		KA、KC、KD、KF：塑料功率封装；		U：陶瓷扁平封装；
P：塑料双列；		JD：黄铜引线框陶瓷双列；		W、WA、WC、WD：陶瓷扁平封装；
N、NT、NW、NE、NF：塑封双列；		MC：芯片；		DGG、PW：薄的再缩小的小引线封装；
PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ：塑料薄型四列扁平封装；      FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP：芯片载体。
数字电路系列符号
GTL：Gunning Transceiver Logic；			SSTL：Seris-Stub Terminated Logic；
CBT：Crossbar Technology；			CDC：Clock-Distribution Circuits；
ABTE：先进BiCMOS技术/增强收发逻辑；			FB：Backplane Transceiver Logic/Futurebust；
没标者为标准系列；		L：低功耗系列；		AC/ACT：先进CMOS逻辑；
H：高速系列；		AHC/AHCT：先进高速CMOS逻辑；		ALVC：先时低压CMOS技术；
S：肖特基二极管箝位系列；		LS：低功耗肖特基系列；		BCT：BiCMOS总线-接口技术;
AS：先进肖特基系列；		F：F系列（FAST）；		CBT：Crossbar Technology；
ALS：先进低功耗肖特基系列；		HC/HCT：高速CMOS逻辑；		LV：低压HCMOS技术；
ABT：先时BiCMOS技术。
速度标志（MOS电路用）
15：150ns MAX取数；		17：170 ns MAX取数；		20：200 ns MAX取数；
25：250 ns MAX取数；		35：350 ns MAX取数；		45：450 ns MAX取数；
2：200 ns MAX取数；		3：350 ns MAX取数；		4：450 ns MAX取数。
温度范围
数字和接口电路系列：		双极线性电路：		MOS电路：
55、54：（-55~125）℃；		M：（-55~125）℃；		M：（-55~125）℃；
75、74：（0~70）℃；		E：（-40~85）℃；		R：（-55~85）℃；
CMOS电路74表示（-40~85）℃；		I：（-25~85）℃；		L：（0~70）℃；
76：（-40~85）℃。		C：（0~70）℃。		C：（-25~85）℃；
				E：（-40~85）℃；
				S：（-55~100）℃；
				H：（0~55）℃。

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器件型号举例说明

　

CMOS集成电路
V	B	74		ACT	240	P
首标	附加处理	温度		系列	器件编号	封装
	(辅助程序)	74：商用（-40~85）℃；				P：塑料双列；
	B：168小时，	54：军用（-55~125）℃；				PS：塑料双列（细线）；
	Tj=150℃；					S：陶瓷双列；
	老化或等效处理；					DS：陶瓷双列（细线）；
	J：833B级筛选；					PL：塑料芯片载体（PLCC）；
	R：抗辐照。					DL：陶瓷芯片载体（LCC）；
						PO：塑料SOIC。
注：没有不附加处理的。
双极电路
V	B	空位	705	D		J
首标	附加处理	系列	部分编号	封装		温度和特性
	B：168小时，			P：塑料双列；		A~I：工业用（-25~85）℃；
	Tj=150℃，			PS：塑料双列		J~R：商用（0~70）℃；
	老化或等效处理；			（细线）；		S~Z：军用（-55~125）℃。
	J：833B级筛选；			D：陶瓷双列；
	R：抗辐照。			J：陶瓷双列
				（侧面铜焊）；
				T：金属壳；
				G：PGA；
				F：扁平；
				PL：塑料芯片载体
				（PLCC）；
				DL：陶瓷芯片载体
				（LCC）。
注：没有不附加处理的。

缩写符号：MATJ 译名：松下电气公司（日）

器件型号举例说明

DN			74LS00
首标表示系列			器件编号
AN：模拟IC；
DN：双极数字IC；
MJ：开发型IC；
MN：MOS IC。

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缩写符号：IDT 译名：集成器件技术公司 器件型号举例说明 IDT 71 681 LA 35 C B 首标 系列 器件 功耗 速度 封装 温度范围 　 29：MSI逻辑电路； 编号 L或LA： 　 P：塑料双列； 没标：（0~70）℃； 　 39：有限位的微处理器 　 低功耗； 　 TP：塑料薄的双列； B：833B级， 　 和MSI逻辑电路； 　 S或SA： 　 TC：薄的双列 （-55~125）℃。 　 49：有限位的微处理器 　 标准功耗。 　 （边沿铜焊）； 　 　 和MSI逻辑电路； 　 　 　 TD：薄的陶瓷双列； 　 　 54/74：MSI逻辑电路； 　 　 　 D：陶瓷双列； 　 　 61：静态RAM； 　 　 　 C：陶瓷铜焊双列； 　 　 71：静态RAM（专卖的）； 　 　 　 XC：陶瓷铜焊缩小 　 　 72：数字信号处理电路； 　 　 　 的双列； 　 　 79：RISC部件； 　 　 　 G：针栅阵列（PGA） 　 　 7M/8M：子系统模块 　 　 　 SO：塑料小引线IC； 　 　 （密封的）； 　 　 　 J：塑料芯片载体； 　 　 7MP/8MP：子系统模块 　 　 　 L：陶瓷芯片载体； 　 　 （塑封）。 　 　 　 XL：精细树脂芯片 　 　 　 　 　 　 载体； 　 　 　 　 　 　 ML：适中的树脂 　 　 　 　 　 　 芯片载体； 　 　 　 　 　 　 E：陶瓷封装； 　 　 　 　 　 　 F：扁平封装； 　 　 　 　 　 　 U：管芯。 　 缩写字符：TOSJ 译名：东芝公司（日） 器件型号举例说明

TA 7173 P 首标 器件编号 封装 TA：双极线性电路； 　 P：塑封； TC：CMOS电路； 　 M：金属封装； TD：双极数字电路； 　 C：陶瓷封装； TM：MOS存储器及微处理器 　 F：扁平封装； 电路。 　 T：塑料芯片载体（PLCC）； 　 　 J：SOJ； 　 　 D：CERDIP（陶瓷浸渍）； 　 　 Z：ZIP。